集邦咨询表示，由于交易商暂缓报价和采购，动态随机存取存储器（DRAM）的现货交易活跃度有所下降。目前存储芯片现货价格显著高于合约价格，集邦咨询预计，短期内现货价格的上涨幅度将更为温和，二者之间的价差有望逐步收窄。主流 DRAM 芯片（即 DDR4 1G×8 3200MT/s 规格）的平均现货价格从上周（2 月 4 日）的 30.86 美元，微涨 0.78% 至本周（2 月 10 日）的 31.10 美元，短期涨幅有限。DRAM 平均现货价格芯片规格2 月 4 日价格（美元）2 月 10 日价格（美元）涨幅
人工智能竞赛的最大赢家是谁？人工智能超级周期正在重塑半导体和电子产业，人工智能基础设施的大规模建设让整个供应链承压。集邦咨询的预估数据显示，尽管英伟达等人工智能加速器研发企业正借人工智能热潮赚得盆满钵满，但存储芯片厂商才是最大的获利者。究其原因，除大宗商品市场的运行规律外，存储芯片厂商与芯片代工厂的商业模式、扩张策略存在本质差异，是造就这一结果的关键。需求激增，供应告急集邦咨询预测，2026 年全球芯片代工市场营收预计为 2187 亿美元，而 3D NAND 闪存和 DRAM 动态随机存取存储器的营收总额
据市场研究机构TrendForce最新数据显示，受AI浪潮推动，存储芯片产业与晶圆代工产值将在2026年同步创新高。其中，存储芯片产值预计达5516亿美元，而晶圆代工产值为2187亿美元。存储芯片的产值规模已超过晶圆代工产业的两倍。存储芯片供不应求将持续至2027年以后。回顾上一轮存储产业超级循环周期（2017-2019年），当时由云端数据中心需求驱动，存储产业产值与晶圆代工差距显著。而此次由AI需求主导的循环周期，缺货状况更加全面。AI产业重心从模型训练转向大规模推理应用，对服务器端高容量、高带宽DRA
财联社1月19日讯（编辑 赵昊）美光科技高管最新表示，存储芯片的短缺情况在过去一个季度明显加速，并重申由于AI基础设施对高端半导体需求激增，这一紧缺状况将持续到今年以后。当地时间周五（1月16日），美光科技全球运营执行副总裁Manish Bhatia在接受采访时表示：“我们当前看到的短缺情况，确实是前所未有的。”——这一表述也与美光上月做出的预测相呼应。Bhatia在最新的讲话中指出，用于人工智能加速器的HBM（高带宽存储）“消耗了整个行业大量可用产能，导致传统行业领域——例如智能手机和个人电脑——出现巨
受DRAM和NAND闪存成本持续飙升影响，苹果iPhone 18系列高配机型或将迎来明显涨价。据投资机构分析，12GB LPDDR5X内存模块成本已从2025年初的25-29美元大幅上涨至约70美元，涨幅高达230%。花旗、美国银行和摩根大通一致认为，即便强如苹果的供应链控制力，在此次全行业内存供应危机中作用也相当有限。行业分析进一步指出，预计iPhone 18系列中仅高存储容量机型将涨价50-100美元，而基础存储版本则有望维持去年定价水平。这一差异化的调价策略，很可能引导更多消费者倾向于选择入门存储配
财联社1月7日电，存储芯片概念大面积高开，普冉股份20cm涨停，走出3天2板，恒烁股份、香农芯创、开普云、江波龙高开超10%，时空科技、德明利、兆易创新、大为股份、北京君正、神工股份跟涨。消息面上，美股SanDisk收涨超27%，创去年2月份以来最大单日涨幅。西部数据涨超16%，创逾五年来最大单日涨幅。美光科技涨超10%，再创历史新高。
英飞凌HYPERRAM™存储芯片及IP成功通过AMD Spartan™ UltraScale+™ FPGA SCU35评估套件测试
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日宣布，AMD 已测试英飞凌 64MB HYPERRAM™ 存储芯片和 HYPERRAM™ 控制器 IP 在 AMD Spartan™ UltraScale+™ FPGA SCU35 评估套件上的使用情况，结果证明其可作为 AMD MicroBlaze™ V 软核 RISC-V 处理器经济高效的高带宽存储解决方
戴尔、惠普等科技企业警告称，受人工智能基础设施建设需求飙升影响，未来一年可能出现存储芯片供应短缺。存储芯片分为处理辅助型和信息存储型两类，制造商正将更多产能转向满足AI系统所需的新型、复杂且高利润产品需求，导致普通型存储芯片供应不足。而美国的制裁措施限制了中国新兴芯片企业的技术能力，进一步加剧了供应紧张局面。存储芯片广泛应用于几乎所有现代数据存储电子设备，供应短缺可能导致从手机、医疗设备到汽车等各类产品的制造成本上升。AI需求成为最优先级AI基础设施建设热潮不仅推高了大型数据中心周边地区的能源消耗，也提振
半导体设备巨头美国应用材料（Applied Materials）表示，受美国收紧出口管制导致市场准入受限影响，预计2026年其在中国的芯片制造设备支出将下降，但下半年整体营收将有所增长。尽管美国加强出口限制预计将抑制需求，但人工智能投资激增带动的存储芯片产能扩张，可能会部分抵消这一影响。今年10月，美国公布了50%股权穿透的出口管制规则。应用材料公司预测，该规则导致部分产品和服务向中国客户的交付变得更加复杂，2025财年第四季度约有1.1亿美元的产品未能交付，导致2026财年营收将减少6亿美元。而该规则在
ArmorBoot 是 Macronix 的中端安全串行 NOR 闪存，支持安全启动以及其他安全功能，如片上认证支持（见图1）。它可以用于为使用不内置这些功能的微控制器或微处理器的设计提供安全服务。标准形态意味着存储芯片可以整合到现有设计中，以增强安全功能。1.Macronix的ArmorBoot提供安全启动和认证等安全基础功能，而高端的ArmorFlash则增加了数据加密和解密等服务。安全启动是指启动码在使用系统启动前经过验证。通常通过使用密钥认证代码，确保其来源为授权来源且未被修改
4月24日消息，韩国内存巨头SK海力士公布2025年Q1财报，Q1营业利润同比增长158%，为7.44万亿韩元（约合52亿美元），超过预期的6.6万亿韩元。营收同比增长42%，达到17.63万亿韩元。数据显示，这是SK海力士第二好的季度业绩，此前该公司上一季度营收和营业利润均创历史新高。作为英伟达HBM(高带宽存储器)的重要供应商，SK海力士受益于HBM等AI关键组件的强劲需求增长。2025年Q1，SK海力士在DRAM市场的份额超过三星。报告期内，SK海力士占据了DRAM市场36%的份额，而三星是34%。
据报道，当地时间4月16日，JEDEC固态技术协会宣布，正式推出HBM4内存规范JESD270-4，该规范为HBM的最新版本设定了更高的带宽性能标准。据介绍，与此前的版本相比，HBM4标准在带宽、通道数、功耗、容量等多方面进行了改进。其中，HBM4采用2048位接口，传输速度高达8Gb/s，HBM4可将总带宽提高至2TB/s。 还支持 4 / 8 / 12 / 18 层 DRAM 堆栈和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，单堆栈容量可达 64GB。此外，HBM4将每个堆叠的独立通道数加倍，从16个通道（
4 月 8 日消息，德国铁电存储器公司（FMC）宣布与半导体企业 Neumonda 达成战略合作，将在德国德累斯顿建立新型非易失性存储芯片（FeRAM）生产线 年英飞凌、奇梦达德国DRAM 工厂破产关停后，欧洲首次尝试重启存储芯片本土化生产。▲ 图源：Neumonda双方此次合作的核心是 FMC 研发的 DRAM+ 技术。该技术采用 10nm 以下制程兼容的铪氧化物（HfO₂）作为铁电层，替代传统锆钛酸铅 PZT 材料，存储容量从传统 FeRAM 的 4-
今日，存储芯片正式开始涨价浪潮。自此，存储市场长达多半年的低迷态势，终于迎来转折。存储芯片的两大主力产品 NAND 与 DRAM，在新一季度的市场表现也各不相同。NAND，开始涨价打响涨价第一枪的是 NAND 存储大厂闪迪，其表示将于4月1日开始实施涨价，涨幅将超10%，该举措适用于所有面向渠道和消费类产品。紧接着美光也告知将针对新订单提高价格，平均涨幅约 11%。3 月 25 日，美光直接发布涨价函，预计此次涨价幅度将在10%~15%。之后，SK 海力士、三星相继宣布将于4月同步上调NAND闪存价格。根
3月3日消息，据报道，中微公司宣布拟在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。据披露，中微公司将在2025年至2030年期间投资约30.5亿元，用于该公司在成都市高新区建设研发中心、生产制造基地、办公用房及附属配套设施，配备先进的自动化生产线和高精度检测设备，满足量产需求。此外，该公司将积极推动公司上下游供应链企业落户成都高新区，推动形成半导体高端装备产业链集群。2月21日，中微公司与成都高新区签订合作协议，将在成都高新区落地研发及生产基地暨西南总部
存储芯片就是存储文件的地方，由于是以芯片的形式存在，所以叫存储芯片。 解码芯片内装有解码软件及播放软件，存储在MP3内的音乐要靠解码芯片来解码后才能播放。 音质的好坏与解码芯片的品质和下载的音乐文件的压缩质量有关，另外跟耳机的品质也有很大关系。 [查看详细]